Ich finde dass das ein sehr spannendes Thema ist und zeigt, dass auch auf Silizium basierende Transistoren noch Entwicklungspotential haben.
Ich hoffe aber, dass die Entwicklung weg von Silizium hin zu GaN geht. Wenn zum einen der Wirkungsgrad deutlich verbessert wird und GaN auch noch höhere Temperaturen aushält kann vermutlich der teure zweite Kühlkreislauf für die Elektronik entfallen. Die Kühlung könnte dann in das Verbrenner-Kühlsystem integriert werden. Das spart Gewicht und Kosten, sowohl bei Anschaffung als auch im Betrieb.
Nebeneffekt: das lästige Pfeifen der Elektronik entfällt bei diesen Taktfrequenzen, aber das geht dann wohl zu Lasten der Fledermäuse
www.pro-physik.de/details/news/2560271/E...t_Galliumnitrid.html